常压射流等离子体发射光谱研究

摘要：

使用改进介质阻挡放电装置生成常压射流等离子体,采用光纤光栅光谱仪在300～1000 nm范围记录了不同放电电压的氩气发射光谱,并比较了空气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,分析发现氩气发射光谱中的谱线都是氩原子的发射谱线,表明常压射流装置产生的等离子体全部为氩等离子体,而无其他空气成分参与放电.为测量电子激发温度,选用相距较近的763.51和772.42 nm两条光谱线对电子温度进行分析,结果表明电子激发温度的范围在0.1～0.3 eV,而且它还随着放电电压的增加而增加.初步使用"红外测温仪"测量被处理材料表面温度,结果发现材料表面的温度也随着放电电压的增加而增加,范围在50～100℃,材料表面温度的变化趋势可以近似表征等离子体宏观温度变化趋势.通过分析常压射流等离子体的温度特性,探讨了常压射流等离子体温度对材料改性研究的意义.

关键词：介质阻挡放电、光谱诊断、射流等离子体、电子温度、材料表面温度

所属期刊栏目：28

分类号：O461.2(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：上海市教委"曙光计划"项目02SG28

在线出版日期：2009-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2754-2757