Si/SiGe异质结构的硅盖层中应变对Raman谱特征的影响

摘要：

应变Si/SiGe异质结构通过大剂量Ge离子注入并结合高温快速热退火制备而成. 325 nm波长的紫外激光被用于调查应变Si盖层的Raman谱特征. 实验发现, 硅盖层中的张应变导致硅的520 cm-1的一级拉曼散射峰向低频方向偏移, 峰的偏移程度反映硅盖层中横向张应力的大小约为12.5×108 N·m-2. 硅盖层中的张应变并未导致1 555和2 330 cm-1的次级拉曼散射峰的变化.

关键词：Si、SiGe、异质结构、应变、Raman谱

所属期刊栏目：25

分类号：O471;O473.3;O484.1(半导体物理学)

资助基金：北京市有色金属研究总院技术创新项目C-02-3-6687

在线出版日期：2005-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：719-722