10.3321/j.issn:1000-0593.2005.02.031
SiC/Al2O3纳米复合材料压痕残余应力压谱法测量研究
利用压力荧光光谱法研究了5% SiC/Al2O3纳米复合材料压痕周围残余应力的大小及其分布规律. 结果发现在压痕区及压痕周围10 μm的应力区范围中, 荧光R-线明显增宽, 而且压应力与离压痕中心距显著相关. 通过获得的R双峰(R1和R2荧光光谱)频率变化, 计算了压痕区及其周围复杂应力场中的等静压力. 结果表明: 沿着压痕区主对角线方向和边界垂直平分线方向, 其应力分布存在十分相似的变化规律. 同时发现在压痕周围存在着对称残余应力区.
纳米复合材料、残余应力、压力荧光光谱法、压痕
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TB332(工程材料学)
国家留学基金委资助项目
2005-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
270-273