Cr3+:GdAl3(BO3)4晶体生长和光谱特性的研究

摘要：

采用顶部籽晶法从K2Mo3O10+B2O3助熔剂体系生长出尺寸为30 mm的Cr3+:GAB晶体, 吸收谱测试表明: Cr3+离子在晶体中有两个宽且强的吸收带及一个微弱的吸收线, 两宽带中心的波长为420和595 nm, 对应于4A2→4T1和4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁, 在4A2→4T2吸收宽带的长波边缘处有个很小的吸收峰, 其波长为681 nm, 对应于4A2→2E(R线)的跃迁. 荧光测试表明: Cr3+:GdAl3(BO3)4(CGAB)晶体荧光宽带和一个较弱的荧光线峰并存, 宽带范围为650～850 nm, 峰值波长为723 nm, 对应于4T2→2E, 4A2的联合能级跃迁, 荧光线峰波长约为700 nm, 其强度较弱. 计算了晶场强度和Racah参数, 其中Dq/B＝2.371, 晶体属于中阶场介质. 研究表明, CGAB晶体具备可调谐激光晶体的基本光谱要求, 且有良好的物化性能, 可以实现宽频带可调谐激光输出. 它又具有较大的倍频系数, 有望实现350 nm附近紫外的自倍频激光输出.

关键词：Cr3+:GdAl3(BO3)4(CGAB)晶体、光谱性能、可调谐激光

所属期刊栏目：23

分类号：O782.5(晶体生长)

资助基金：福建省科技攻关项目2001H107;国家自然科学基金2002I016

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：669-671