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优质微晶硅薄膜的光学性质

引用
对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究.拉曼谱表明,微晶硅薄膜的晶化度超过80%;SEM结果表明,晶粒分布较均匀,大小平均为60nm左右;光照实验结果表明,该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,透射光谱结果表明,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%.

微晶硅薄膜、光照稳定性、均匀性、等离子体增强化学气相沉积

31

O433;O657.37(光学)

安庆师范学院青年科研基金044-K10025000031资助的课题

2014-04-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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光谱实验室

1004-8138

11-3157/O4

31

2014,31(1)

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