优质微晶硅薄膜的光学性质

摘要：

对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究.拉曼谱表明,微晶硅薄膜的晶化度超过80％;SEM结果表明,晶粒分布较均匀,大小平均为60nm左右;光照实验结果表明,该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,透射光谱结果表明,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95％.

关键词：微晶硅薄膜、光照稳定性、均匀性、等离子体增强化学气相沉积

所属期刊栏目：31

分类号：O433;O657.37(光学)

资助基金：安庆师范学院青年科研基金044-K10025000031资助的课题

在线出版日期：2014-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：64-68