Ga-Ti共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能

摘要：

采用ZnO:Ga2O3:TiO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度.当生长温度为620K时GTZO薄膜的结晶质量最佳、电阻率最低、透射率最大、品质因数最高.

关键词：磁控溅射、掺杂氧化锌、透明导电薄膜

所属期刊栏目：30

分类号：TM914;O657.61

资助基金：湖北省自然科学基金资助项目2011CDB418;中南民族大学学术团队基金资助项目XTZ09003

在线出版日期：2013-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2169-2173