期刊专题

10.3969/j.issn.1004-8138.2013.02.011

纳米SiCN薄膜的制备和光致发光

引用
采用磁控溅射技术制备了SiCN薄膜,利用傅里叶红外光谱仪、扫描探针显微镜、荧光分光光度计对薄膜结构、表面形貌、光致发光进行了表征.结果表明SiCN薄膜有良好的发光性质,通过对薄膜的红外光谱及光致发光谱分析可知,当氩气和氮气流量比为4:1时,最有利于SiCN薄膜的生成,PL发光峰强度也达到最大值,SiCN薄膜的光发射主要来源于带-带直接辐射复合及导带底到缺陷态辐射跃迁.

SiCN薄膜、磁控溅射、光致发光

30

O484.4;O657.61(固体物理学)

国家自然科学基金10804026和10774037;张家口市科学技术研究与发展指导计划项目1101012B;河北北方学院自然科学青年基金Q2010007资助课题

2013-06-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

567-569

暂无封面信息
查看本期封面目录

光谱实验室

1004-8138

11-3157/O4

30

2013,30(2)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn