10.3969/j.issn.1004-8138.2013.02.011
纳米SiCN薄膜的制备和光致发光
采用磁控溅射技术制备了SiCN薄膜,利用傅里叶红外光谱仪、扫描探针显微镜、荧光分光光度计对薄膜结构、表面形貌、光致发光进行了表征.结果表明SiCN薄膜有良好的发光性质,通过对薄膜的红外光谱及光致发光谱分析可知,当氩气和氮气流量比为4:1时,最有利于SiCN薄膜的生成,PL发光峰强度也达到最大值,SiCN薄膜的光发射主要来源于带-带直接辐射复合及导带底到缺陷态辐射跃迁.
SiCN薄膜、磁控溅射、光致发光
30
O484.4;O657.61(固体物理学)
国家自然科学基金10804026和10774037;张家口市科学技术研究与发展指导计划项目1101012B;河北北方学院自然科学青年基金Q2010007资助课题
2013-06-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
567-569