拉曼光谱和红外光谱分析沉积气压对微晶硅薄膜微结构的影响

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD),在玻璃和硅衬底上以230-310Pa之间的沉积气压生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼光谱和红外光谱分析样品的微结构.结果发现样品的微结构强烈依赖于沉积气压,并且存在着最佳沉积气压250Pa,在此条件下的微晶硅薄膜晶化率为60.6％,氢含量为最小值9.1％.

关键词：微晶硅薄膜、沉积气压、拉曼光谱、傅里叶变换红外透射谱

所属期刊栏目：29

分类号：O657.33;O657.37(分析化学)

资助基金：韩山师范学院青年科研基金资助项目0503

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1188-1191