10.3969/j.issn.1004-8138.2011.02.005
n型多孔硅光致发光研究
对在无光照条件下,电化学阳极腐蚀方法制备的n型多孔硅进行了光致发光性能研究.在325nm的激发光照射下,多孔硅样品的发光峰在620nm处,其橙红色的发光肉眼可见,并随阳极电流密度与腐蚀时间乘积的增加.先增强,后减弱.其发光峰位置与量子限制效应、表面态及缺陷态有关,发光强度与样品表面深度较浅孔洞所占的面积比成正比.
n型多孔硅、电化学腐蚀、光致发光
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O613.72;O657.39(无机化学)
2011-06-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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509-512