硅薄膜材料的光电导谱分析

摘要：

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品.由弱光条件下光电导谱分析了材料的吸收系数及缺陷态密度,结果表明随着氢稀释比的增加,材料的长波响应增大,缺陷态密度(Ns)逐渐减小,当大于16.7时,Ns开始增加,这是杂质与晶粒间界相互作用的结果.

关键词：硅薄膜、光电导谱、缺陷态密度

所属期刊栏目：28

分类号：O433.5(光学)

资助基金：中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金KLSMS-0907;中国地质大学校内基金200705

在线出版日期：2011-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：282-285