氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底

摘要：

SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台.本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/si MQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si_(0.75)Ge_(0.25)缓冲层.

关键词：氧化、锗硅弛豫缓冲层、组分、弛豫度

所属期刊栏目：26

分类号：TN304.1;O657.37(半导体技术)

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1516-1518