PLD法制备钴掺杂的氧化锌薄膜及其生长形貌和光学性能

摘要：

用脉冲激光沉积(PLD)方法,在蓝宝石(0001)衬底上,制备了高度c轴取向的Zn1-xCoxO(x=0,0.02,0.05,0.07,0.1)薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明,当钴掺杂量≤10mol%时没有出现其他杂峰,即没有出现分相.XPS分析显示Co离子在薄膜中以+2价的形式存在.进一步验证CO2+离子进入ZnO的晶格,对掺钴浓度不同的样品进行了UV-Vis吸收光谱测量.从UV-Vis吸收光谱可以看出随着掺杂浓度的增加,带隙逐渐变窄,证明CO2+抖取代了Zn2+而进入了ZnO晶格中.从原子力显微镜(AFM)形貌表征可以看出,随着钴掺杂量的提高,ZnO薄膜的表面起伏度有所减小,而且生长晶粒细化,从生长动力学的角度对生长形貌的改善进行了解释.

关键词：ZnO薄膜、钴掺杂、脉冲激光沉积(PLD)、原子力显微镜

所属期刊栏目：25

分类号：TP304;O657.39(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：742-747