10.3969/j.issn.1004-8138.2008.03.046
含氢类金刚石薄膜的生长及表征
采用射频-等离子体辅助化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅片、玻璃上生长类金刚石薄膜.通过Raman光谱、AFM等测试手段,研究不同的生长工艺条件下类金刚石薄膜的性质的变化.实验表明,RF-PECVD生长DLC膜,在上方电极处以及较低功率下可获得较高sp3含量的薄膜.
类金刚石薄膜、拉曼光谱、等离子体增强化学气相沉积.
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O657.37;O484.5(分析化学)
2008-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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