X射线照射Hep-2细胞对其培养基吸收光谱的影响

摘要：

采用分光光度计分别测量了受不同剂量X射线照射后继续培养48h时的人上皮样喉癌细胞株Hep-2的培养基RPMI1640的紫外吸收光谱,分析了该培养基中蛋白质的紫外吸收特性.结果发现:各组培养基的吸收光谱存在明显的差别,新鲜培养基RPMI1640(10%胎牛血清)233nm处的吸收峰在细胞生长过程中位移至235nm,275nm处的吸收峰位移至278nm.反映出各组培养基中芳香族氨基酸中各种氨基酸如色氨酸、酪氨酸、苯丙氨酸的含量的变化,说明癌细胞在生长过程中对这几种氨基酸的改变不是按等量比的.实验还发现细胞培养基的吸收光谱强度与各剂量组细胞数基本成正相关,进而与细胞所受X射线照射的剂量有内在的联系.这些结果将为利用光谱技术研究人喉癌最佳X射线放射剂量奠定基础.

关键词：吸收光谱、培养基、人上皮样喉癌细胞株、X射线

所属期刊栏目：24

分类号：O6(化学)

资助基金：河南省科技攻关项目0624410052

在线出版日期：2007-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：188-191