a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究

摘要：

采用表面光电压谱和光电化学方法,对不同掺杂类型的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究,测定了a-Si:H薄膜的能带结构,为a-Si:H薄膜在太阳能电池上的应用提供了有用的基础数据和简单光伏测量方法.

关键词：氢化非晶硅、表面光电压谱、光电化学

所属期刊栏目：19

分类号：O433.5+9(光学)

资助基金：内蒙古民族大学校科研和教改项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：620-622