热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散

摘要：

利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/SiGe/Si异质结中Si/SiGe异质界面互混的现象.结果表明:应变弛豫前Si/SiGe异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/SiGe异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散.总之,Si/SiGe互扩散作用越强诱发Si/SiGe异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化.

关键词：Si/SiGe互扩散、热载荷、硼浓度梯度

所属期刊栏目：20

分类号：TG156;TN304.054.4;O6

资助基金：上海市自然科学基金;上海市自然科学基金;上海市自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2015-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：205-208