Hf/HfO2基双极阻变存储器研究

摘要：

本文制备了纳米级的Hf/HfO2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构.系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程.详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性.该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化.利用量子点接触模型对Hf/HfO2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析.

关键词：二氧化铪、双极、阻变存储器、导电细丝、量子点接触模型

所属期刊栏目：20

分类号：TP333.5(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;资助的课题

在线出版日期：2015-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：101-106