纳米器件阈值电压提取方法

摘要：

阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用.本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提取方法,分别利用它们提取了FinFET和JLT不同沟道长度的阈值电压,讨论了这些方法在提取两种现代MOS器件阈值电压时的有效性和局限性.

关键词：阈值电压提取、FinFET、Junctionless Transistor

所属期刊栏目：20

在线出版日期：2015-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：80-88