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一种十字形CMOS霍尔器件的精确仿真模型

引用
本文针对十字形CMOS霍尔器件提出了一种精确的行为性仿真模型.该模型由一个90°旋转对称的无源网络构成,包含4个电流控制的霍尔电压源,12个非线性电阻和8个寄生电容.该行为性模型完全考虑了霍尔器件的各种重要物理效应以及寄生电容和接触电阻的影响,使用Ver-ilog_A语言进行描述,非常适合在Cadence Spectre环境下进行霍尔器件和电路全集成的仿真.使用AMS 0.8 μm CMOS工艺参数对该模型做了电路仿真,仿真结果与实验结果达到了很好的一致性,显示出该模型具有极高的仿真精度同时又无需复杂的计算量.

十字形CMOS霍尔器件、行为性模型、Verilog_A语言、电路仿真

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TN382(半导体技术)

江苏省自然科学基金面上项目;江苏省高等学校自然科学研究面上项目

2015-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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功能材料与器件学报

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