新颖CMOS图像传感器刻蚀工艺进展

摘要：

称为背照式(BSI) CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI) CIS对光更敏感,且噪声小.BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏观负载效应.本文中,采用Applied Centura? AdvantEdgeTM MesaTM刻蚀室开发BSI CSI刻蚀工艺.调整C4F8流量可实现侧壁角的目标剖面.调整压力使BSI焊盘底部处微沟槽形成最小.对于硅损的宏观负载,DC(Div.Cap)和MRAD(Motorized Radial Assembly Dial)调整能实现最小的硅损失,有良好的均匀性.

所属期刊栏目：19

分类号：TB(一般工业技术)

在线出版日期：2014-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：312-313