金属硬掩膜打开工艺中的CD偏差负载控制
本文系统地研究了密集线条和孤立线条间CD(关键尺寸)刻蚀偏差参数对金属硬掩膜(M-HM)刻蚀工艺的影响,涉及的范围有化学气体、源功率、压力、偏差功率以及ESC温度.特别是,如果正确地应用基于CH4的等离子固化光刻胶掩膜,发现它具有控制密集和ISO CD负载的特殊能力,且同时保持准确的密集CD.而且,在基于Cl2和基于HBr的BARC打开步骤之间,还看到刻蚀化学气体对CD负载的有重大影响.此外,也发现M-HM的应力和刻蚀后剖面影响CD负载性能.根据这些发现,成功地展示了改善钨触点和铜沟槽之间电气互连的解决方法.
19
TB(一般工业技术)
2014-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
308-311,307
