三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究

摘要：

结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验.在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列.经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级.不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决.

关键词：三维集成电路、相变存储器、等离子活化键合、智能剥离

所属期刊栏目：19

分类号：TN311;TN389(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61306007,61006087;南阳师范学院专项项目ZX2012017

在线出版日期：2014-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：270-274