低Te等离子体应用于finFET FEOL刻蚀的挑战

摘要：

本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSATM).低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的.在刻蚀高深宽比结构中,该等离子源显示提高了刻蚀性能,减少了微负载效应和ARDE效应,有助于缓解在先进finFET FEOL刻蚀应用中挑战.

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分类号：TB(一般工业技术)

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：255-258