C+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究

摘要：

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si08Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响.研究结果充分表明:C+离子注入的Si08Ge02衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi08Ge0.2的热稳定性.此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge02/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了Ni-Si0.8 Ge0.2表面和NiSi0.8 Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显.

关键词：镍、硅锗、碳

所属期刊栏目：19

分类号：TB(一般工业技术)

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：202-207