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二氧化锡纳米线的制备及氢气敏感特性研究

引用
采用化学气相沉积(CVD)方法在有金催化层的硅片上制备了SnO2纳米线.用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射仪(XRD)对其形貌及结构进行了表征,分析了蒸发温度及氧气流量对SnO2相貌的影响.对比了SnO2纳米线在室温及150℃条件下的氢气敏感特性,结果表明SnO2纳米线在150℃下对氢气的灵敏度高达13.3,响应及回复时间≤5 s,表现出了良好的氢敏性能.

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O434;O657(光学)

2014-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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功能材料与器件学报

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