掩膜对不准测量用的电压对比度测试结构

摘要：

由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小,对准要求变得极具挑战性.测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列,每次与接地栅极的重叠部分数量不同.电压对比信号表明哪些触点正在触及栅极.把样品晶圆数据与光学对准数据进行了比较.阐述了更充分比较二种技术的精度必须要做的后续工作.

所属期刊栏目：19

分类号：TB(一般工业技术)

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：136-141