离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究

摘要：

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂.本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理.实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad (Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累.

所属期刊栏目：19

分类号：TB(一般工业技术)

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：109-113