Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究

摘要：

采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏＜111＞方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜.通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平.

关键词：分子束外延、迁移增强外延、InAs量子点

所属期刊栏目：19

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：感谢自然科学基金项目61176001支持

在线出版日期：2014-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：54-58