石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响

摘要：

采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜.利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征.通过对转移到Si02衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著.石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高.

关键词：石墨烯、单晶、化学气相沉积、拉曼、电学性质

所属期刊栏目：18

分类号：O782+.7(晶体生长)

资助基金：国家科技重大专项2011ZX02707;国家自然科学基金61136005

在线出版日期：2012-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：309-313