GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响

摘要：

使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角变化明显的现象.在研究光刻胶厚度对侧壁倾角影响的基础上,研究了不同ICP刻蚀选择比对GaAs样品刻蚀后侧壁倾角的变化的影响,并从GaAs干法刻蚀机理及刻蚀条件对ICP刻蚀过程中的化学、物理反应的影响来解释这一现象.

关键词：ICP刻蚀、光刻胶、侧壁倾角、刻蚀选择比

所属期刊栏目：18

分类号：TN3;TG6

资助基金：北京工业大学博士科研启动基金X0002013201101;北京工业大学研究生科技基金ykj-2011-6208资助的课题

在线出版日期：2012-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：283-290