OB LDMOS器件的性能研究

摘要：

研究了一种具有OB(Oxide By - passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真.通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ·cm2降低到1.96mΩ·cm2,同时克服了SJ LDMOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷.

关键词：SOI结构、OB结构、导通电阻、电荷补偿

所属期刊栏目：18

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60906038;中央高校基本科研业务费专项资金资助GK2080260104

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：178-182