制备工艺对氧化钨电致变色薄膜性能的影响

摘要：

采用WO3陶瓷靶,运用射频反应磁控溅射工艺,通过正交试验方法优化实验参数,制备出性能优异的WO3电致变色薄膜,通过对薄膜进行真空热处理,提高了薄膜变色存储能力.结果表明,氧分量为60％、压强为2.5Pa、功率为145W时制备的薄膜,对光调制幅度(△T)达89.3％.适度温度真空热处理可改善薄膜性能,着色率略有提高,变色存储时间增加(达32h),离子存储能力增大(达3.96mC/cm2),循环稳定性能良好,同时热处理使薄膜晶化,密度增加,变色响应时间增加.

关键词：WO3薄膜、射频反应磁控溅射、真空热处理、电致变色

所属期刊栏目：18

分类号：O484;TB381(固体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金项目2010J01278

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：165-171