10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.009
不同缓冲层对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响
本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al (AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征.XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80%;薄膜的导电性能得到提高.
AZO薄膜、缓冲层、晶体结构、光电性能
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O484(固体物理学)
湖南省研究生科研创新项目CX2011B399;湖南省自然科学基金09JJ6011;湖南省高等学校科研基金08A055
2012-07-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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