沉积条件对硅基薄膜非晶转微晶相变、沉积速率及其光电性能的影响

摘要：

本文采用HWA-MWECR - CVD系统制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响.实验结果表明:当氢稀释比为94％、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86* 104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9％的光致衰退速率等.

关键词：HWA-MWECR-CVD系统、微晶硅薄膜、相变、沉积速率、光电性能

所属期刊栏目：18

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目G2000028201-1

在线出版日期：2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：103-108