硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响

摘要：

研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响.发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压.对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75％ (Voc =0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF =0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池.

关键词：晶体硅/非晶硅异质结(HIT)、太阳电池、表面钝化、少子寿命

所属期刊栏目：18

分类号：TK514(特殊热能及其机械)

资助基金：国家科技支撑计划2010BAK69B25;国防基础科研计划B0320110005;上海市科委科技攻关计划10111100901

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：40-45