基于SCR的SOI ESD保护器件研究

摘要：

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.

关键词：SOI ESD、SCR、Sentaurus、保护器件

所属期刊栏目：18

分类号：TN9;TN4

资助基金：中科院创新基金项目CXJJ-10-M36;上海市自然基金09ZR1437700

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：17-22