低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料

摘要：

选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13％的SiC预制件,真空压力浸渗6063A1合金熔液,得到SiCp/A1复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相；致密度高；100℃时的热膨胀系数为7.592×10 -6K-1;常温下热导率为172.68/W(m·K)-1；4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335.5N,弯曲位移为0.16mm左右；综合性能优良,是优异的电子封装材料.

关键词：低温多段烧结、真空压力浸渗、SiCp/Al

所属期刊栏目：17

分类号：TB331(工程材料学)

资助基金：湖南省长沙市科技计划重点项目K1003264-11

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：620-624