溅射功率和靶基距对ZAO薄膜性能影响

摘要：

采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al( ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80％,最低电阻率为4.5×10-4Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求.

关键词：ZAO薄膜、直流反应溅射、溅射功率、靶基距

所属期刊栏目：17

分类号：TG113.0484;TN304.21;TB43(金属学与热处理)

资助基金：建设部科研项目2008-k6-12;沈阳市人才资源开发专项基金2007140103007

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：586-590