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10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.007

单晶硅掺杂类型对化学镀Ni -P膜的影响

引用
本文采用化学镀的方法分别在P型、N型Si(100)表面制备了Ni -P膜,通过扫描电镜(SEM)及电子能谱仪(EDS)分析考察了同种制备条件下,在不同基底上镀膜的表面形貌和不同基底对镀层组分的影响;并用原子力显微镜(AFM)对不同基底上镀膜的平整度进行了研究.结果发现两种基底上的镀膜形貌、元素含量及镀膜平整度明显不同,以P型Si(100)作为基底时,膜层颗粒度及平整度较好.

化学镀、N型Si、P型Si、Ni-P膜

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TB43(工业通用技术与设备)

国家自然科学基金项目51072184,51002143;航空科学基金项目2009ZE55003,2010ZF55013;河南省基础与前沿技术研究计划项目092300410139;河南省教育厅自然科学基金项目2011A140027

2012-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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564-568

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2011,17(6)

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