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10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.006

四结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge的设计与模拟

引用
随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs( In-GaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究.四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev - 1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料.在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比.结果显示,该结构可以获得较高的转换效率.

GaInAsN、太阳能电池、转换效率

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TN302.2(半导体技术)

广东省自然科学基金10151063101000048

2012-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

17

2011,17(6)

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