一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究

摘要：

拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应.我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱上一些新奇的变化.例如,当垂直入射一束线偏振光时,与一般的“单个透射率为1”的缺陷态共振峰不同,这时会出现“两个透射率为0.5”的缺陷态共振峰,并且两个透射峰频率处的透射光是圆偏振态,同时,我们还可以通过调节光子晶体的相关参数来调节这两个透射峰(双峰)的距离.反过来,我们可以通过这些新颖的变化来研究TI材料的表面性质,以及对精细结构常数进行精确测量.

关键词：光子晶体、拓扑绝缘体、传输矩阵、表面态

所属期刊栏目：17

分类号：TN247;TN214(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金11004212,10704080,60877067,60938004;上海市科委重大08dj1400303;上海市自然科学基金11ZR1443800

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：526-532