Ge2Sb2Te5相变存储器导电机制研究

摘要：

本文研究了Ge2 Sb2 Te5相变存储器的导电机制.本文考虑了实验中观察到的场致激活能的非线性下降以及结晶化后跳跃间距变大带来的影响,提出了一种有效导带底偏移模型,并在此基础上建立了修正的电流模型.计算结果表明,激活能随电压增加呈双曲余切的下降趋势,符合测量结果.该模型还包含了温度效应,结果表明跳跃间距与温度成反比.最后的计算结果与不同温度下的I-V测量结果一致,和实验观察到的I-V特征也很好地吻合.

关键词：Ge2 Sb2 Te5、相变存储器、跳跃导电、陷阱辅助隧穿

所属期刊栏目：17

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61076102,61076080

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：470-475