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10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.013

退火温度对Eu3+掺杂TiO2-SiO2复合薄膜的发光影响

引用
用溶胶-凝胶法制备了Eu3+离子掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜并研究了退火温度对复合薄膜的光致发光的影响.并采用XRD、Raman和光致发光谱对其进行了一系列的表征.在退火温度为700℃的时候,Eu3+离子引起的发光强度是最强的,而随着退火温度的升高由TiO2本身的Ti3+离子缺陷能级引起的在近红外820nm处的发光峰的强度变得越来越强,一方面是因为随着退火温度的升高Ti3+离子增多,即缺陷能级数量增多,另一方面是Eu3+离子的能量背传递给Ti3+离子缺陷能级,这两个原因导致820nm处的发光峰强度随退火温度而增强.

TiO2-SiO2、光致发光、缺陷能级、能量传递

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TN3;TB3

河南省科技攻关项目102102210448,102102210452;洛阳师范学院博士基金10000887;河南省教育厅自然科学研究计划项目2010A140011

2012-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1007-4252

31-1708/TB

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2011,17(4)

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