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10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.004

Mn-Co-Zn-O体系制备低阻高B型单层片式NTCR

引用
研究了Mn - Co -O体系通过掺入适量ZnO,采用最佳的烧结温度,可制备低阻高B型NTCR(负温度系数热敏电阻),并通过XRD、SEM研究了样品Mn1.14 Co1.83 Zn0.03 O4在不同烧结温度下的微观结构和电学特性.结果表明:Mn - Co - Zn -O体系在T=1100~1200℃很宽的温度范围可只存在尖晶石结构,同时具有高的激活能.样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在烧结温度T=1100℃时存在最小电阻率,而B仍保持在4046K左右.因此,由其制成的单层片式NTCR可替代某些具有内电极的叠层器件.

NTC热敏电阻、低阻高B、单层片式

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TM910.4

2012-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2011,17(4)

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