金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

摘要：

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱.优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10％.

关键词：金属诱导晶化、p型多晶硅薄膜、非晶硅薄膜

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分类号：TN304;O766(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目10904042;教育部留学回国人员科研启动基金;广东省自然科学基金项目8521063101000007

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：350-354