基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

摘要：

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photoresist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺.

关键词：MEMS、光刻、多掩膜、体硅工艺

所属期刊栏目：17

分类号：TP2;TN3

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2008AA03Z406,2009AA03Z443;自然科学基金60877066

在线出版日期：2011-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：313-318