10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.016
微波水热及氨化法制备GaN纳米棒
以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒.采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征.研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成.XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好.光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰.中心位于468nm、493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用.
微波水热、高温氨化、GaN、纳米棒
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目50802057;陕西科技大学研究生创新基金
2011-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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