PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究

摘要：

等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义.本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低张应力和高张应力五种不同应力状态的氮化硅薄膜,并对残余应力与SiH4/NH3流量比例、射频功率之间的关系进行了说明.

关键词：微电子机械系统、氮化硅、等离子化学气相淀积、残余应力

所属期刊栏目：17

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：浙江省自然科学基金Y1080072;国家自然科学基金61076110

在线出版日期：2011-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：183-186