体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料

摘要：

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态.通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本.

关键词：外延、应变、锗硅、SOGI

所属期刊栏目：17

分类号：TN304.05(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB832906;上海应用材料研究与发展基金082SYA1001;新泰课题基金092XTA1001

在线出版日期：2011-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：147-150