SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析

摘要：

本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究.高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2.9eV.电学测试分析给出的等效栅氧厚度和介电常数分别是1.8nm和19.

关键词：NbAlO栅介质、价带偏移、超晶格

所属期刊栏目：17

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2011-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：120-124